capacidad 1024gb
forma de factor m.2(2280)
interfaz pcie gen3×4
máxima velocidad de lectura secuencial de 128 k 2100 mb/s
máxima velocidad de escritura secuencial de 128 k 1800 mb/s
máxima iops de lectura aleatoria de 4 k 135 k
máxima iops de escritura aleatoria de 4 k 128 k
consumo de potencia
lectura (rms máx.) 5.9 w
escritura (rms máx.) 6.1 w
resistencia (tbw) 640 tb
memoria flash nand 3d tlc
peso = 8 g
mtbf (tiempo medio entre fallos) 1,500,000 h
temperatura de operación 0 °c a 70 °c (32 °f a 158 °f)
humedad de operación 5% a 95% (sin condensación)
