capacidad 1024gb

forma de factor m.2(2280)

interfaz pcie gen3×4

máxima velocidad de lectura secuencial de 128 k 2100 mb/s

máxima velocidad de escritura secuencial de 128 k 1800 mb/s

máxima iops de lectura aleatoria de 4 k 135 k

máxima iops de escritura aleatoria de 4 k 128 k

consumo de potencia

lectura (rms máx.) 5.9 w

escritura (rms máx.) 6.1 w

resistencia (tbw) 640 tb

memoria flash nand 3d tlc

peso = 8 g

mtbf (tiempo medio entre fallos) 1,500,000 h

temperatura de operación 0 °c a 70 °c (32 °f a 158 °f)

humedad de operación 5% a 95% (sin condensación)